Üsna sageli taandub vigade otsing skeemis üksikute astmete analüüsimisele. Allpool on ära toodud kolm enamlevinud ühendusviisi ja väike vigade leidmine pingete mõõtmise teel. Järgnevad skeemid on kõik praktiliselt kasutatavad ja sobivate väärtustega töötamiseks helisagedusvõimendis . Võimendusastmete ehitamisel ja kontrollimisel peavad alalispinged vastama skeemil ära toodud väärtustele. Juhul, kui skeemil pinged puuduvad, saab transistori tööreziimi hinnata pingeid mõõtes ligikaudselt. Rikete otsimisel tuleb arvestada seda, et avatud npn transistoril peab olema pinge baasil 0.7 V kõrgem (ränitransistori korral, germaaniumtransistoril 0.2..0.3V).
Bipolaartransistoreid ühendatakse tavaliselt kolmel viisil:
1) Ühise emitteriga lülitus.
Selle lülituse eeliseks
võib lugeda suurt pingevõimendust, kuid puuduseks on
sellel suhteliselt väike
sisendtakistus (saab suurendada, kui jätta emittertakisti
kondensaatoriga
sildamata, aga sellisel juhul väheneb võimendus) . Puuduseks on ka suhteliselt suur
väljundtakistus, mistõttu järgmise astme väike
sisendtakistus vähendab astme
võimendust.
Vōimalikud vead
Puudub pingelang takistil R3 (kollektorpinge läheneb toitepingele)
- Transistori baasi-kollektorsiire katkestuses, emittersiire katkestuses(sellisel juhul on emitteril pinge 0)
- Emitterahela takisti R4 katkestuses (sellisel juhul emitteri pinge läheneb kollektorpingele)
- Baasi pingejaguri takisti R1 katkestuses (sellisel juhul on baasil pingge null)
- Sisendlondensaator C1 lühises.(pinge maa suhtes mõlemal pool kondensaatorit võrdne)
Kollektorpinge on võrdne on tunduvalt madalam toitepingest ja lähedane emitterpingele
- Emitteri ja kollektori vahel on lühis.
- Transistor on küllastuses, mille võib põhjustada R2 katkestus (baasi pinge võib läheneda siis samuti kollektropingele)
Kollektoril pinge puudub.
- Takistis R3 katkestus
- Kui puudub pinge ka baasil, siis on kas R5 katkestuses või C2 lühises
Võimendustegur on väike, sageduskarakteristik moonutatud
- Sidestuskondensaatorid C1 või C4 on mahtuvuse kaotanud
- Emitterahela kondensaatori C3 mahtuvus vähenenud.
- Transistori parameetrid on muutunud
Võimendusaste genereerib
- Toite filterkondensaator C2 on kaotanud mahtuvuse
2) Ühise kollektoriga lülitus (emitterjärgur) . Sellise ühendusviisi eeliseks on suur vooluvõimendus. Samuti on tal väike väljund – ja suur sisendtakistus. Pingevõimendus on aga veidi alla ühe. Kasutatakse peamiselt võimendi väljundtakistuse vähendamiseks või sisendtakistuse suurendamiseks.
Võimalikud vead
Emitteril puudub pinge.
- Kui kollektoril on olemas ja baasil samuti, on emittersiire katkestuses
- Kui kollektoril on olemas ja baasil puudub siis on katkestuses R1
- Kui kollektoril ka puudub , siis on katkestuses R4 või lühises C2
Emitteri pinge läheneb kollektorpingele
- R2 on katkestuses
- Transistori emitteri ja kollektori vahel lühis
Signaaliedastus on väike, sageduskarakteristik on moonutatud
- Sidestuskondensaatorid C1 või C4 on mahtuvuse kaotanud
- Transistori parameetrid on muutunud
3) Ühise baasiga lülitus. Eeliseks on suur pingevõimendus . Puuduseks võib pidada väga väikest sisendtakistust. Helisagedustel kasutatakse sellist ühendusviisi harva, kuid väga palju kasutatakse seda kõrgetel sagedustel.
Vōimalikud vead
Puudub pingelang takistil R2(kollektorpinge läheneb toitepingele)
- Transistori baasi-kollektorsiire katkestuses, emittersiire katkestuses(sellisel juhul on emitteril pinge 0)
- Emitterahela takisti R1katkestuses (sellisel juhul emitteri pinge läheneb kollektorpingele)
- Baasi pingejaguri takisti R3katkestuses (sellisel juhul on baasil pinge null)
- Sisendkondensaator C1 lühises.(pinge maa suhtes mõlemal pool kondensaatorit võrdne)
Kollektorpinge on võrdne on tunduvalt madalam toitepingest ja lähedane emitterpingele
- Emitteri ja kollektori vahel on lühis.
- Transistor on küllastuses, mille võib põhjustada R4 katkestus (baasi pinge võib läheneda siis samuti kollektropingele)
Kollektoril pinge puudub.
- Takistis R2 katkestus
- Kui puudub pinge ka baasil, siis on kas R5 katkestuses või C2 lühises
Võimendustegur on väike, sageduskarakteristik moonutatud
- Sidestuskondensaatorid C1 või C4 on mahtuvuse kaotanud
- Transistori parameetrid on muutunud
Võimendusaste genereerib
- Toite filterkondensaator C2 on kaotanud mahtuvuse
- C3 on kaotanud mahtuvuse
- Transistori emitteri ja kollektrori vaheline parasiitmahtuvus suurenenud
-
Transistori parameetrid on muutunud
Artikkel ilmus ka Tevalo uudiskirjas.
(c)
Martin Jaanus 2004